PCB Layout參考---兩顆芯片并聯

兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：

①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。

②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。

③0.1uF電容盡量靠近VDD和GND PIN，每片鋰電保護IC都需要一個0.1uF電容。100Ω電阻最好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。

④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。

PCB Layout參考---DFN1*1-4

①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。

②0.1uF電容盡量靠近VDD和GND PIN，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。

③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路最小。

④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（0.1uF）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。

⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。