鋰電保護應用原理圖

①按鋰電池保護芯片的典型原理圖設計，鋰電保護的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。

②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴格按照規格書中的典型原理圖來做。

③鋰電池保護芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。

④典型應用圖中的100Ω/1KΩ電阻與0.1uF電容組成的RC濾波網絡，濾除電池電壓的劇烈波動和外部強烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個都會有少燒芯片的可能，增加生產的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請根據最新版的Datesheet的典型應用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。

⑤馬達應用、LED照明應用、射頻干擾應用、負載電流劇烈變化的應用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網絡的R和C的值，如采用1K和0.1uF、500Ω+1uF、1K+1uF等，最大采用1K+1uF。

⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個0.1uF電容，可以增強鋰電保護電路的系統級ESD，增強對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。

⑦鋰電保護芯片可并聯使用，減小內阻，增強持續電流，多芯片并聯使用時，芯片VDD的RC網絡，電阻可共用，但電容須要一個保護芯片配一個電容。